|
Набір компонентів для самостійного монтажу мультитестера на процесорі ATmega 328. Поставляється без батареї живлення, корпусу та схеми електричної. Монтаж та пайку необхідно виконати згідно маркування на друкованій платі.
TFT- дисплей 128х64 на 20х8 символів. Глибина кольлру 16 біт.
Автоматична ідентифікація радіоелектронних компонентів (резистор, конденсатор, катушка індуктивності, діод, подвійний діод, біполярний NPN, PNP транзистор, N- канальний і Р- канальний MOS FET, JFET транзистор, малопотужний тиристор, симістор.
Вимірювання опору, місткості, індуктивності, прямої напруги переходу в діодах і біполярних транзисторах, струму витоку діодів, місткості і порогової напруги затвора в польових транзисторах, виявлення захисних діодів в транзисторах.
Відмітні особливості GM328TFT від LCR-T4, LCR-T5:
- меню функцій (вибір однією кнопкою);
- регулювання контрастності дисплея (через меню)
- вимірювання зворотнього струму діодів;
- генератор імпульсних сигналів зі скважністю 50% - фіксований ряд частот: 1 Гц, 10 Гц, 50 Гц, 100 Гц, 250 Гц, 439,9956 Гц, 441,989 Гц, 443,017 Гц, 1000 Гц, 2500 Гц, 5000 Гц,10 кГц, 25 кГц,50 кГц, 100 кГц, 153,8462 кГц, 250 кГц, 50 кГц, 1 Мгц, 2 Мгц (вибір через меню);
- генератор імпульсних сигналів із змінною скважністю (1% -99 %) і фіксованою частотою 7,8 кГц (вибір через меню);
- частотомір (1 Гц- 2 Мгц). Амплітуда вхідного сигнал,уа не менше 1,5 В. Індикація на прикладі f=100 Hz; T=10,02430mS, f=99,75759 Hz ;
Живлення 9 В від батареї типа "Крона" (не входить в комплект поставки).
* Розряджайте конденсатори до тестування!
|
|
|
1.Тест напівпровідників, конденсаторів, резисторів, катушок індуктивності проводиться за одну операцію – натисненням кнопки. Автоматичне виключення після тесту.
2. Споживаний струм після відключення не більш 20nA .
3. Діапазон вимірювання резисторів складає від 0,1 Ом до 50M Ом з точністю 1%.
4. Діапазон вимірювання ємності складає від 25рF до 100mF і точністю 1%.
5. Діапазон вимірювання катушок індутивності складає від 0,01mН до 20H і точністю 1%.
6. Автоматичне визначення NPN, PNP біполярних транзисторів, N -канальних і Р- канальних MOS FET, JFET транзисторів, діодів, подвійних діодів, тиристорів невеликої потужності, однонаправлених і двонаправлених тиристорів.
7. Автоматичне визначення цоколівки напівпровідників.
8. Вимірювання в біполярних транзисторах коефіцієнта підсилення і порогової напруги база – емітер.
9. Виявлення захисних діодів в біполярних і MOS FET транзисторах.
|
 |
